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2N5401

AmplifierTransistor(PNPSilicon)

PNPSilicon

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

2N5401

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

AMPLIFIERTRANSISTOR ●Collector-EmitterVoltage:VCEO=150V ●CollectorDissipation:Pc(max)=625mW

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

2N5401

PNPhigh-voltagetransistor

DESCRIPTION PNPhigh-voltagetransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.NPNcomplement:2N5551. FEATURES ?Lowcurrent(max.300mA) ?Highvoltage(max.150V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Telephonyapplications.

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

L2N5401

AmplifierTransistorsPNPSilicon

LRCLeshan Radio Company

樂(lè)山無(wú)線電樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司

ST2N5401

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors forgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications. AscomplementarytypestheNPNtransistorsST2N5550andST2N5551arerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbemanufacturedindifferentpinconfigurations.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

ST2N5401

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司

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更多H2N5401-B供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 19:06:00

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