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H11N1M數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

H11N1M

功能描述

6 引腳 DIP 低輸入電流施密特觸發(fā)器輸出光耦合器

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-3 20:00:00

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H11N1M規(guī)格書詳情

描述 Description

H11NX-M系列具有光學耦合至AlGaAs紅外線發(fā)射二極管的高速集成電路檢測器。 輸出包含施密特觸發(fā)器,為抗噪能力和脈沖整形提供滯后。 檢測器電路有所優(yōu)化,操作簡化并利用開路集電極輸出實現(xiàn)最大程度的應用靈活性。

特性 Features

?高數(shù)據(jù)速率,典型值為5MHz (NRZ)
?在整個電壓和溫度范圍內(nèi)無閂鎖和振蕩
?微處理器兼容驅(qū)動
?在0.5V條件下,邏輯兼容最大輸出灌電流16mA
?保證導通/關(guān)斷閾值滯后
?寬電源電壓能力,與所有常見的邏輯系統(tǒng)兼容
?高共模瞬變抑制:2000V/μs(最小值)
?快速開關(guān),為tr = 7.5ns(典型值),tf = 12ns(典型值)
?通過Underwriters Laboratory(UL)認證 - 文件編號E90700
?VDE認證 - 文件編號102497 - 添加選項V(例如,H11N1VM)

應用 Application

? 消費型設(shè)備
? 工業(yè)級電機

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :H11N1M

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Data Rate (Mbps)

    :5

  • VCC (Max) (V)

    :15

  • VCC (Min) (V)

    :3

  • Channels

    :1

  • IFT (Max) (mA)

    :3.2

  • VOL (Max) (V)

    :0.5

  • ICCL (Max) (mA)

    :10

  • tPHL (Max) (ns)

    :330

  • tPLH (Max) (ns)

    :330

  • PWD (Max) (ns)

    :-

  • CMR (Max) (kV/μs)

    :-

  • VISO (Min) (V)

    :4200

  • TOPR (Min) (°C)

    :-40

  • TOPR (Max) (°C)

    :85

  • Package Type

    :PDIP-6

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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