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HSMJ-T425	文件：155.71 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountHighPerformanceAlInGaPLEDIndicators Description TheLEDmaterialusedinthesedevicesistheveryefficientabsorbingSubstratealuminumindiumgalliumphosphide(ASAlInGaP),capableofproducinghighlightoutputoverawiderangeofdrivecurrents. Features ?OutstandingLEDMaterialEfficiency ?ExceptionalLightOutputOve	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷倫科技安捷倫科技有限公司	HP
IFN425	文件：67.04 Kbytes Page：1 Pages	DualN-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistor ?VeryHighImpedanceDifferentialAmplifiers ?Electrometers	InterFET InterFET Corporation	InterFET
ISCN425P	文件：295.07 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage :V(BR)CEO=200V(Min) ·FastSwitchingSpeeds ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformance andreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforhighfidelityaudioamplifierand otherlinearapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXP425	文件：273.54 Kbytes Page：4 Pages	OptimizedforBroadbandApplications	IntelIntel Corporation 英特爾	Intel
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KIXDP425AD	文件：273.54 Kbytes Page：4 Pages	OptimizedforBroadbandApplications	IntelIntel Corporation 英特爾	Intel

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