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GVT71512C18B-4.4

256K x 36/512K x 18 Pipelined SRAM

Functional Description The Cypress Synchronous Burst SRAM family employs high-speed, low power CMOS designs using advanced triple-layer polysilicon, double-layer metal technology. Each memory cell consists of four transistors and two high valued resistors. Features ? Fast access times: 2.5 ns

文件:307.76 Kbytes 頁數(shù):27 Pages

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

GW00-GA-0967-AC

K.E.T

K.E.T

GW00-GAOP67-AC

K.E.T

K.E.T

GW13J40K0E

Ohmite
螺栓安裝

OHMITEOHMITE MANUFACTURING COMPANY

歐敏歐敏電阻制造公司

上傳:深圳市鼎欣微電子有限公司

GW1NS-LV4CQN48C7/16

GOWIN Semiconductor
QFN-48

GOWIN Semiconductor

上傳:深圳勤志科技有限公司

GOWIN Semiconductor

詳細參數(shù)

  • 型號:

    GVT71512C18B-4.4

  • 功能描述:

    x18 Synchronous SRAM

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更多GVT71512C18B-4.4供應(yīng)商 更新時間2025-8-15 10:32:00