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IRF123

NanosecondSwitchingSpeeds

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF123

IRF120-123/IRF520-523MTP10N08/10N10N-ChannelPowerMOSFETs

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    GVA-123+

  • 制造商:

    Mini-Circuits

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 頻率:

    10MHz ~ 12GHz

  • P1dB:

    16.3dBm

  • 增益:

    7.1dB

  • 噪聲系數(shù):

    6.9dB

  • 射頻類型:

    LTE,MMDS,無線局域網(wǎng)

  • 電壓 - 供電:

    4.8V ~ 5.2V

  • 電流 - 供電:

    52mA

  • 測試頻率:

    850MHz

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-89

  • 描述:

    IC RF AMP LTE 10MHZ-12GHZ SOT89

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多GVA-123+供應(yīng)商 更新時間2025-7-23 17:20:00