首頁>GTVA261701FAV1R0>規(guī)格書詳情
GTVA261701FAV1R0數(shù)據(jù)手冊Infineon中文資料規(guī)格書
GTVA261701FAV1R0規(guī)格書詳情
描述 Description
High Power RF GaN-SiC HEMT, 170 W, 50 V, 2620 – 2690 MHz
特性 Features
·Input Matched
·Typical Pulsed CW performance, 2690 MHz, 48 V, single side
·Output power at P3dB = 170 W
·Efficiency = 72%
·Gain = 16 dB
·GaN-SiC HEMT technology
·High power density
·High efficiency
·RoHS-compliant
技術參數(shù)
- 制造商編號
:GTVA261701FAV1R0
- 生產廠家
:Infineon
- Matching?
:Input
- Frequency Band?min?max
:2620.0MHz?2690.0MHz
- P1dB?
:170.0W?
- Supply Voltage?
:50.0V?
- Pout?
:50.0W?
- Gain?
:18.0dB?
- Test Signal?
:WCDMA
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
22+ |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | |||
ST |
2405+ |
原廠封裝 |
50000 |
15年芯片行業(yè)經驗/只供原裝正品:0755-83271743鄒小姐 |
詢價 | ||
SOSHIN |
23+ |
SMD-10 |
88000 |
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | |||
SOSHIN |
23+ |
SMD-10 |
6800 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
加我qq或微信,了解更多詳細信息,體驗一站式購物 |
詢價 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細信息, |
詢價 | ||
端子 |
2021+ |
10000 |
只做原裝,可提供樣品 |
詢價 | |||
Cree/Wolfspeed |
100 |
詢價 | |||||
WOLFSPEED |
24+ |
N/A |
1384 |
原裝原裝原裝 |
詢價 |