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IRFE9110	文件：124.1 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18)	IRF International Rectifier	IRF
IRFE9110	文件：124.1 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET?TRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignersth	IRF International Rectifier	IRF
IRFE9110	文件：125.22 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9110	文件：143.61 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) TheHEXFET?technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFETtransistorsalso	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9110	文件：16.67 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF9110	文件：136.14 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9110	文件：656.29 Kbytes Page：2 Pages	100V,P-CHANNEL	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFG9110	文件：218.24 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(MO-036AB)	IRF International Rectifier	IRF
IRFG9110	文件：221.5 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFL9110	文件：171.51 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=1.2ohm,Id=-1.1A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolder	IRF International Rectifier	IRF

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