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GT8G133分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

GT8G133
廠商型號(hào)

GT8G133

參數(shù)屬性

GT8G133 封裝/外殼為8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬);包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 400V 600MW 8TSSOP

功能描述

Strobe Flash Applications

封裝外殼

8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)

文件大小

201.65 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-22 11:46:00

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GT8G133規(guī)格書詳情

Strobe Flash Applications

? Compact and Thin (TSSOP-8) package

? Enhancement-mode

? 4-V gate drive voltage: VGE= 4.0 V (min) (@IC= 150 A)

? Peak collector current: IC= 150 A (max)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    GT8G133(TE12L,Q)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 4V,150A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    1.7μs/2μs

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-TSSOP

  • 描述:

    IGBT 400V 600MW 8TSSOP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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