GT60N321數(shù)據(jù)手冊分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
GT60N321 |
| 參數(shù)屬性 | GT60N321 封裝/外殼為TO-3PL；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
| 功能描述 | IGBT for soft switching applications |
| 封裝外殼 | TO-3PL |
| 制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
| 中文名稱 | 東芝 株式會社東芝 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-21 15:39:00 |
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GT60N321規(guī)格書詳情
描述 Description
Number of Circuits：2
Built-in Diodes：Yes
Comments：Non isolation package
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本
特性 Features
Collector Current IC 60 A
Breakdown Voltage VCES 1000 V
技術參數(shù)
- 產品編號：
GT60N321(Q)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，60A
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關）值：
330ns/700ns
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-3PL
- 供應商器件封裝：
TO-3P（LH）
- 描述：
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
東芝 |
24+ |
TO-3PL |
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TOSHIBA |
23+ |
TO-3PL |
5000 |
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TOSHIBA |
23+ |
TO-3PL |
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TOSHIBA/東芝 |
23+ |
TO-3PL |
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24+ |
TO-3PL |
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詢價 | ||
Toshiba Semiconductor and Stor |
2022+ |
TO-3P(LH) |
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詢價 | ||
TOSH |
23+ |
TO-3 |
7000 |
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TOSHIBA/東芝 |
2447 |
TO-3PL |
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