GT60N321分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
GT60N321 |
| 參數(shù)屬性 | GT60N321 封裝/外殼為TO-3PL；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
| 功能描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT |
| 封裝外殼 | TO-3PL |
| 文件大小 |
173.5 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | TOSHIBA |
| 中文名稱 | 東芝 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-23 20:00:00 |
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GT60N321規(guī)格書詳情
High Power Switching Applications
The 4th Generation
? FRD included between emitter and collector
? Enhancement-mode
? High speed IGBT : tf = 0.25 μs (typ.) (IC = 60 A)
FRD : trr = 0.8 μs (typ.) (di/dt = ?20 A/μs)
? Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.3 V (typ.) (IC = 60 A)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
GT60N321(Q)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，60A
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
330ns/700ns
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-3PL
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-3P（LH）
- 描述：
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/東芝 |
24+ |
NA/ |
3000 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
25+ |
原廠原封可拆樣 |
54285 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成 歡迎詢價 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
23+ |
TO-3PL |
9526 |
詢價 | |||
TOSHIBA |
25+ |
TO-3PL |
18000 |
原廠直接發(fā)貨進(jìn)口原裝 |
詢價 | ||
TOS |
21+ |
TO-264 |
1017 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
24+ |
TO3P |
8540 |
只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十! |
詢價 | ||
TOSHIBA |
25+23+ |
TO-3PL |
16124 |
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
24+ |
TO3P |
27950 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
FCS |
23+ |
TO-3PL |
8560 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣! |
詢價 | ||
TOSHIBA |
原廠封裝 |
9800 |
原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨假一賠百 |
詢價 |
