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GT60N321(Q)

Package:TO-3PL;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

60N321

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

High Power Switching Applications The 4th Generation ? FRD included between emitter and collector ? Enhancement-mode ? High speed IGBT : tf = 0.25 μs (typ.) (IC = 60 A) FRD : trr = 0.8 μs (typ.) (di/dt = ?20 A/μs) ? Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.3 V (typ.) (IC =

文件:173.5 Kbytes 頁數(shù):6 Pages

TOSHIBA

東芝

GT60N321

IGBT

DESCRIPTION ·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.3V@IC=10A ·High Current Capability ·High Input Impedance ·Fast Switching APPLICATIONS ·Frequency Converters ·Air Conditioning ·UPS,PFC ·Motor Drives

文件:363.33 Kbytes 頁數(shù):3 Pages

ISC

無錫固電

GT60N321

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件:1.58274 Mbytes 頁數(shù):73 Pages

TOSHIBA

東芝

GT813

GOODIX
QFN48

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    GT60N321(Q)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,60A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    330ns/700ns

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3PL

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P(LH)

  • 描述:

    IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
TOSHIBA
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更多GT60N321(Q)供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-20 18:50:00