GT52N10T中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
GT52N10T |
| 功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | TO-220 |
| 文件大小 |
990.5 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | GOFORD SEMICONDUCTOR |
| 企業(yè)簡稱 |
GOFORD【谷峰半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) | GOFORD |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-2 11:17:00 |
| 人工找貨 | GT52N10T價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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GT52N10T規(guī)格書詳情
描述 Description
The GT52N10T uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide
variety of applications.
Application
l Power switch
l DC/DC converters
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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