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GT50J121(Q) 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 TOSHIBA/東芝
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
GT50J121(Q)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類(lèi)別:
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.45V @ 15V,50A
- 開(kāi)關(guān)能量:
1.3mJ(開(kāi)),1.34mJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
90ns/300ns
- 測(cè)試條件:
300V,50A,13 歐姆,15V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-3PL
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-3P(LH)
- 描述:
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
供應(yīng)商
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