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GT50J102中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

GT50J102
廠商型號

GT50J102

功能描述

N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

文件大小

254.3 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-20 15:04:00

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GT50J102規(guī)格書詳情

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 :

http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429

* GT30G124

- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V

- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A

* GT30J124

- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V

- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A

Applications and Features : Plasma display panels

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    GT50J102

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin TO-3P(LH)

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 50A 3PIN TO-3P(LH) - Trays

  • 功能描述:

    IGBT 600V TO-3P(LH)

  • 功能描述:

    IGBT, 600V, TO-3P(LH)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOS
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