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GT50G321數(shù)據(jù)手冊Toshiba中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

GT50G321

功能描述

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名稱

東芝 株式會(huì)社東芝

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-14 15:01:00

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GT50G321規(guī)格書詳情

描述 Description

The 4th Generation
Current Resonance Inverter Switching Applications
? FRD included between emitter and collector
? Enhancement-mode
? High speed: tf = 0.30 μs (typ.) (IC = 60 A)
? Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.8 V (typ.) (IC = 60 A)

技術(shù)參數(shù)

  • 型號(hào):

    GT50G321

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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