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GT40T301中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

GT40T301
廠商型號(hào)

GT40T301

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

文件大小

311.21 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-8 23:01:00

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GT40T301規(guī)格書詳情

Parallel Resonance Inverter Switching Applications

???????

? FRD included between emitter and collector

? Enhancement mode type

? High speed IGBT : tf = 0.25 μs (typ.) (IC = 40 A)

FRD : trr = 0.7 μs (typ.) (di/dt = ?20 A/μs)

? Low saturation voltage: VCE (sat) = 3.7 V (typ.) (IC = 40 A)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    GT40T301

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 1.5KV 40A 3PIN TO-3P(LH) - Bulk

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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NA/
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TOSHIBA/東芝
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TO-3P
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保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票
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