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GT12010GB數(shù)據(jù)手冊(cè)GIET中文資料規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號(hào)

GT12010GB

功能描述

低中壓MOSFET

制造商

GIET Beijing Green Energy Xinchuang Electronic Technology Co., Ltd

中文名稱

綠能芯創(chuàng) 北京綠能芯創(chuàng)電子科技有限公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-31 22:58:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :GT12010GB

  • 生產(chǎn)廠家

    :GIET

  • ID (A)

    :120

  • RDS(typ) (mΩ)

    :5.5

  • RDS(max) (mΩ)

    :7

  • Vgs (V)

    :44199

  • 封裝類型

    :TO-263

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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