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GT035N12M中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

GT035N12M
廠商型號(hào)

GT035N12M

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

GT035N12

封裝外殼

TO-263

文件大小

1.14301 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

GOFORD

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-10 19:10:00

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GT035N12M規(guī)格書詳情

描述 Description

The GT035N12M uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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