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GT011N03ME中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

GT011N03ME
廠商型號

GT011N03ME

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識

GT011N03

封裝外殼

TO-263

文件大小

905.41 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

GOFORD

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-8-7 17:26:00

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GT011N03ME規(guī)格書詳情

描述 Description

The GT011N03ME uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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