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IRLML0030TR	文件：444.86 Kbytes Page：8 Pages	Lowerswitchinglosses Features VDS(V)=30V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRLML0030TR	文件：379.02 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET Features VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRLML0030TRPBF	文件：282.42 Kbytes Page：2 Pages	HEXFETPowerMOSFET	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
IRLML0030TRPBF	文件：1.07174 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRLML0030TRPBF	文件：197 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLML0030TRPBF	文件：230.15 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET FeaturesandBenefits Features LowRDS(on)(≤27mΩ) Industry-standardpinout CompatiblewithexistingSurfaceMountTechniques RoHScompliantcontainingnolead,nobromideandnohalogen MSL1,Industrialqualification Benefits Lowerswitchinglosses Multi-ven	IRF International Rectifier	IRF
IRLML0030TRPBF-G	文件：2.12896 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features Vos=30V,lo=58A Rosow	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
JLLN0030T	文件：787.34 Kbytes Page：9 Pages	CLASST??JLLN/JLLSSERIES Description JLLN/JLLSseriesfusesarelessthan1/3thesizeof comparableClassRfusesandaretypicallyusedforshort circuitprotectionofdrivesandsurgesensitivecomponents. WhenratedinaccordancewiththeNEC*,JLLN/JLLS fusesprovidefast-actingoverloadandshortcircuit p	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
JLLN0030TXL	文件：787.34 Kbytes Page：9 Pages	CLASST??JLLN/JLLSSERIES Description JLLN/JLLSseriesfusesarelessthan1/3thesizeof comparableClassRfusesandaretypicallyusedforshort circuitprotectionofdrivesandsurgesensitivecomponents. WhenratedinaccordancewiththeNEC*,JLLN/JLLS fusesprovidefast-actingoverloadandshortcircuit p	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
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