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SI8512-C-GM

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TDA8512

26WBTLand2x13WSEor4x13WSEpoweramplifier

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

TDA8512J

26WBTLand2x13WSEor4x13WSEpoweramplifier

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

TPCP8512

BipolarTransistorsSiliconNPNEpitaxialType

Applications ?High-SpeedSwitching ?DC-DCConverters Features (1)HighDCcurrentgain:hFE=400to1000(VCE=2V,IC=0.5A) (2)Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=0.21V(max)(IC=1.6A,IB=32mA) (3)High-speedswitching:tf=120ns(typ.)(IC=1.6A)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

XCSE8512

metalsafetyswitchXCSE-3NC-slowbreak-2entriestappedM20-24V

SCHNEIDERSchneider Electric

施耐德施耐德電氣

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