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IRFE430	文件：169.26 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFF430	文件：133.05 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) TheHEXFET?technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFETtransistorsalsofe	IRF International Rectifier	IRF
IRFF430	文件：325.25 Kbytes Page：7 Pages	2.75A,500V,1.500Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFF430	文件：23.73 Kbytes Page：2 Pages	N??HANNELENHANCEMENT FEATURES ?AVALANCHEENERGYRATED ?HERMETICALLYSEALED ?DYNAMICdv/dtRATING ?SIMPLEDRIVEREQUIREMENTS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF430	文件：96.08 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET FEATURES ?AVALANCHEENERGYRATED ?HERMETICALLYSEALED ?DYNAMICdv/dtRATING ?SIMPLEDRIVEREQUIREMENTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFR430A	文件：118.1 Kbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR430A	文件：158.34 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR430A	文件：2.67839 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR430A	文件：2.318 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR430A	文件：2.67795 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
GP430
制造商：
Mallory Sonalert Products Inc
功能描述：
Cap Ceramic 30pF 1000V SL 10%(6 X 4.5mm) Radial 6.4mm 85°C

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多GP430供應(yīng)商更新時間2025-7-29 15:01:00

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