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HZ6.8CP	文件：46 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforVoltageController-VoltageLimitter Features ?Widespectrumfrom1.88Vthrough40Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. ?GlasspackageDO-41structureensureshighreliability.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZ6.8CP	文件：73.55 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforVoltageController-VoltageLimitter	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HZB6.8MWA	文件：65.69 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HZC6.8	文件：34.42 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZC6.8	文件：71.8 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HZF6.8BP	文件：367.253 Kbytes Page：2 Pages	1W6.8VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳冠榮電子有限公司	SUNMATE
HZF6.8BP	文件：364.11 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
HZM6.8FA	文件：28.32 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
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HZM6.8MFA	文件：157.17 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb Features ?HZM6.8MFAhasfourdevicesinamonolithic,andcanabsorbsurge. ?MPAK-5Packageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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技術(shù)參數(shù)

PD[mW]：
500
VZ@IZT.V[Nom]：
6.8
VZ@IZT.V[Min]：
6.66
VZ@IZT.V[Max]：
7.01
ZZT@IZT Max.[Ω]：
20
ZZT@IZT Max.[mA]：
5
ZZK@IZK Max.[Ω]：
150
ZZK@IZK Max.[mA]：
0.5
IR@VR Max.[μA]：
2
IR@VR Max.[V]：
3.5
Package：
MICRO-MELF

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	GMZJ6.8B	PANJIT/強茂	23+		100000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
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