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GJ1182中文資料勤益投資控股數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

GJ1182
廠商型號

GJ1182

功能描述

NP SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

文件大小

278.91 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

GTM GTM CORPORATION

中文名稱

勤益投資控股 勤益投資控股股份有限公司

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-8 22:58:00

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GJ1182規(guī)格書詳情

描述 Description

The GJ1182 is designed for medium power amplifier applications.

特性 Features

? Low collector saturation voltage : VCE(sat)=-0.5V(Typ.)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    GJ1182

  • 制造商:

    GTM

  • 制造商全稱:

    GTM

  • 功能描述:

    NP SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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