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GB10RF120K中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

GB10RF120K
廠商型號

GB10RF120K

功能描述

IGBT PIM MODULE

文件大小

1.37125 Mbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-9-8 15:03:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    GB10RF120K

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 20 Amp 1200 Volt Non-Punch Through

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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