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G900N10T

Marking:G900N10;Package:TO-220;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG900N10Tusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

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臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

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更多G900N10T供應(yīng)商 更新時間2025-7-13 9:06:00