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NP75P04YLG

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP75P04YLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=9.7mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?37.5A) ?RDS(on)=14mΩMAX.(VGS=?5V,ID=?37.5A) ?Logicleveldrivetype ?Gat

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

PJD75P04E-AU

40VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features ?RDS(ON),VGS@-10V,ID@-20A

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Configuration:

    P channel

  • ESD:

    NO

  • VDS:

    -40V

  • Id at 25℃(max):

    -54A

  • PD(max):

    35.7W

  • Vgs(th)typ(V):

    -1.45V

  • RDS(on)(typ)(@10V):

    5.1mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V):

    6.6mΩ

  • Qg(nC):

    106

  • Ciss:

    6768

  • Crss:

    666

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多G75P04F供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 11:06:00