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G65P06F中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

G65P06F
廠商型號

G65P06F

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識

G65P06

封裝外殼

TO-220F

文件大小

668.47 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-7-31 20:00:00

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G65P06F規(guī)格書詳情

描述 Description

The G65P06F uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide

variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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