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G60N04D52中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

G60N04D52
廠商型號(hào)

G60N04D52

功能描述

DUAL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

G60N04

封裝外殼

DFN5X6-8LDual

文件大小

975.14 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

GOFORD

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-16 20:00:00

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G60N04D52規(guī)格書詳情

描述 Description

The G60N04D52 uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
CHN
24+
NA/
300
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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GOFORD
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詢價(jià)