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G4BC30KD中文資料IRF數據手冊PDF規(guī)格書

G4BC30KD
廠商型號

G4BC30KD

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

文件大小

196.13 Kbytes

頁面數量

10

生產廠商

IRF

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更新時間

2025-8-6 20:00:00

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G4BC30KD規(guī)格書詳情

Short Circuit Rated UltraFast IGBT

特性 Features

? High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10μs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V

? Combines low conduction losses with high switching speed

? tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes

Benefits

? Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

? HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses

? This part replaces the IRGBC30KD2 and IRGBC30MD2 products

? For hints see design tip 97003

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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