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G45P02D3中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

G45P02D3
廠商型號(hào)

G45P02D3

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

G45P02

封裝外殼

DFN3X3-8L

文件大小

994.22 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

GOFORD

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-8 9:55:00

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G45P02D3規(guī)格書詳情

描述 Description

The G45P02D3 uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide

variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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