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G30N04D3

絲印:G30N04;Package:DFN3X3-8L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG30N04D3usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

G30N04D3

Trench Mosfet;

GOFORD

谷峰

GOFORD

技術(shù)參數(shù)

  • Configuration:

    N channel

  • ESD:

    NO

  • VDS(min):

    40V

  • Id at 25℃(max):

    30A

  • PD(max):

    19.8W

  • Vgs(th)typ(V):

    1.32V

  • RDS(on)(typ)(@10V):

    7.8m?

  • RDS(on)(typ)(@4.5V):

    11.3m?

  • Qg(nC):

    30

  • Ciss:

    1780

  • Crss:

    160

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
GOFORD(谷峰)
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更多G30N04D3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 15:01:00