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G220P03D32

絲印：G220P03D；Package：DFN3X3-8LDUAL；DUAL P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG220P03D32usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

G220P03D32

Trench Mosfet;

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

技術(shù)參數(shù)

  • Configuration：

    P+P channel

  • ESD：

    NO

  • VDS：

    -30V

  • Id at 25℃(max)：

    -12A

  • PD(max)：

    30W

  • Vgs(th)typ(V)：

    -1.5V

  • RDS(on)(typ)(@10V)：

    18mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V)：

    25mΩ

  • Qg(nC)：

    25

  • Ciss：

    1305

  • Crss：

    163

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更多G220P03D32供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 9:06:00

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