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G200N10K

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/g200n10/marking.html">G200N10;Package:TO-252;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG200N10Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

G200N10K

Trench Mosfet

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

IXFK200N10P

PolarHiPerFETPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFK200N10P

PowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFN200N10P

PolarHiPerFETPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

技術(shù)參數(shù)

  • Configuration:

    N channel

  • ESD:

    NO

  • VDS:

    100V

  • Id at 25℃(max):

    57A

  • PD(max):

    104W

  • Vgs(th)typ(V):

    1.3V

  • RDS(on)(typ)(@10V):

    15mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V):

    16mΩ

  • Qg(nC):

    125

  • Ciss:

    4574

  • Crss:

    171

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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更多G200N10K供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-31 16:59:00