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G1K8P06S2

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/g1k8p06d/marking.html">G1K8P06D；Package：SOP-8Dual；DUAL P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG1K8P06S2usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

G1K8P06S2

41V-60V;

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

技術(shù)參數(shù)

  • Configuration：

    P channel

  • ESD：

    NO

  • VDS(min)：

    -60V

  • Id at 25℃(max)：

    -3.2A

  • PD(max)：

    2W

  • Vgs(th)typ(V)：

    -1.9V

  • RDS(on)(typ)(@10V)：

    140mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V)：

    175mΩ

  • Qg(nC)：

    11.3

  • Ciss：

    594

  • Crss：

    22

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多G1K8P06S2供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 9:06:00

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