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G180N06S2

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/g180n06/marking.html">G180N06;Package:SOP-8DUAL;Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG180N06S2usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

G180N06S2

Trench Mosfet;

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

技術(shù)參數(shù)

  • Configuration:

    N channel

  • ESD:

    NO

  • VDS(min):

    60V

  • Id at 25℃(max):

    8A

  • PD(max):

    2W

  • Vgs(th)typ(V):

    1.5V

  • RDS(on)(typ)(@10V):

    16.5mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V):

    18mΩ

  • Qg(nC):

    58

  • Ciss:

    2330

  • Crss:

    100

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更多G180N06S2供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 9:06:00