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G180C06Y中文資料谷峰半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

G180C06Y
廠商型號

G180C06Y

功能描述

N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標識

G180C06

封裝外殼

TO-252-4DUAL

文件大小

1.39349 Mbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

GOFORD

中文名稱

谷峰半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 11:10:00

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G180C06Y規(guī)格書詳情

描述 Description

The G180C06Y uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide

variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
M-TEK
23+
DIP18
29408
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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24+
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一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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2447
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網(wǎng)絡變壓器代理優(yōu)勢渠道,假一賠十
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NK/南科功率
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TO-252-2
986966
國產(chǎn)
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