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G130N06S2

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/g130n06d/marking.html">G130N06D；Package：SOP-8Dual；DUAL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG130N06S2usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導體

G130N06S2

41V-60V;

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導體

技術參數(shù)

  • Configuration：

    N channel

  • ESD：

    NO

  • VDS(min)：

    60V

  • Id at 25℃(max)：

    9A

  • PD(max)：

    2.6W

  • Vgs(th)typ(V)：

    1.7V

  • RDS(on)(typ)(@10V)：

    12.5m?

  • RDS(on)(typ)(@4.5V)：

    14m?

  • Qg(nC)：

    67

  • Ciss：

    3021

  • Crss：

    193

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多G130N06S2供應商 更新時間2025-7-29 11:06:00

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