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G120P06T

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/g120p06/marking.html">G120P06；Package：TO-220；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG120P06Tusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

G120P06T

Trench Mosfet;

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

C120P06QE

HighFrequencyRectification

Construction:SchottkyBarrierDiode Application:HighFrequencyRectification

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

G120P06M

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheG120P06Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

UTT120P06

120A,60VP-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Configuration：

    P channel

  • ESD：

    NO

  • VDS(min)：

    -60V

  • Id at 25℃(max)：

    -120A

  • PD(max)：

    277W

  • Vgs(th)typ(V)：

    -2.5V

  • RDS(on)(typ)(@10V)：

    7mΩ

  • Qg(nC)：

    230

  • Ciss：

    12674

  • Crss：

    671

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多G120P06T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 10:07:00

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