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NP100N04NUH	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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NP100N04PUK	文件：231.81 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP100N04PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=50A) ?LowCiss:Ciss=4700pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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