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FZT869	文件：27.71 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR FEATURES Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)36m?at5A 7Ampcontinuouscollectorcurrent(20Amppeak) Verylowsaturationvoltages Excellentgaincharateristicsspecifiedupto20Amp *Ptot=3Watts PARTMARKINGDETAILS-FZT869	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT869	文件：39.07 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Planar High Current (High Performance) Transistor Features ●Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)44mΩat5A. ●7Ampcontinuouscollectorcurrent(20Amppeak). ●Verylowsaturationvoltages. ●Excellentgaincharateristicsspecifiedupto20Amp. ●Ptot=3Watts.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司
FZT869	文件：39.48 Kbytes Page：2 Pages	SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT Features ?BVCEO>25V ?IC=7AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=20APeakPulseCurrent ?VeryLowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 美臺半導(dǎo)體
FZT869	文件：39.48 Kbytes Page：2 Pages	SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR Features ?BVCEO>25V ?IC=7AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=20APeakPulseCurrent ?VeryLowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 美臺半導(dǎo)體
FZT869	文件：454.55 Kbytes Page：7 Pages	25V NPN HIGH CURRENT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美臺半導(dǎo)體
FZT869	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, 25V, 7A, SOT223	DiodesDiodes Incorporated 美臺半導(dǎo)體
FZT869TA	文件：39.48 Kbytes Page：2 Pages	SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR Features ?BVCEO>25V ?IC=7AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=20APeakPulseCurrent ?VeryLowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 美臺半導(dǎo)體
FZT869_15	文件：663.34 Kbytes Page：7 Pages	25V NPN HIGH CURRENT TRANSISTOR IN SOT223	DIODESDiodes Incorporated 美臺半導(dǎo)體
FZT869_17	文件：454.55 Kbytes Page：7 Pages	25V NPN HIGH CURRENT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美臺半導(dǎo)體
FZT869TA	文件：454.55 Kbytes Page：7 Pages	25V NPN HIGH CURRENT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美臺半導(dǎo)體

技術(shù)參數(shù)

Compliance(Only Automotive supports PPAP)：
Standard
Polarity：
NPN
IC (A)：
7
ICM (A)：
20
PD (W)：
3
hFE (Min)：
300
hFE (@ IC) (A)：
0.01
hFE(Min 2)：
200
hFE (@ IC2) (A)：
7
VCE(sat) Max (mV)：
110
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)：
1/10
VCE(sat) (Max.2) (mV)：
215
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)：
2/10
fT (MHz)：
100
Packages：
SOT223

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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