FZT655分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
FZT655 |
| 參數(shù)屬性 | FZT655 封裝/外殼為TO-261-4，TO-261AA；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 150V 1A SOT223-3 |
| 功能描述 | SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-261-4，TO-261AA |
| 文件大小 |
102.48 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | DIODES |
| 中文名稱 | 美臺半導體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-3 17:30:00 |
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FZT655規(guī)格書詳情
特性 Features
? BVCEO > 150V
? IC = 1A High Continuous Current
? Low Saturation Voltage
? Complementary PNP Type – FZT755
? Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
FZT655TC
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
500mV @ 200mA，1A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 500mA，5V
- 頻率 - 躍遷：
30MHz
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-261-4，TO-261AA
- 供應商器件封裝：
SOT-223-3
- 描述：
TRANS NPN 150V 1A SOT223-3
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美臺 |
24+ |
NA |
30000 |
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詢價 | ||
DIDOES |
1822+ |
SOT-223 |
9852 |
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詢價 | ||
DIODES |
20+ |
SOT-223-4 |
69052 |
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ZETEX |
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SMD |
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ZETEX |
08+ |
SOT223 |
29445 |
進口原帶現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
DIODES/美臺 |
2022+ |
TO-261-4 |
8000 |
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Bychip/百域芯 |
21+ |
SOT223 |
30000 |
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SOT-223 |
23+ |
NA |
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ZETEX |
SOT-223 |
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DIODES |
25+23+ |
SOT-223-4 |
29135 |
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詢價 |
