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FZ2400R33HE4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
FZ2400R33HE4 |
| 參數(shù)屬性 | FZ2400R33HE4 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：HV B SINGLE SWITCH POWER MODULES |
| 功能描述 | IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode |
| 封裝外殼 | 模塊 |
| 文件大小 |
807.7 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon |
| 中文名稱 | 英飛凌 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-6 17:50:00 |
| 人工找貨 | FZ2400R33HE4價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
FZ2400R33HE4規(guī)格書詳情
FZ2400R33HE4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FZ2400R33HE4晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
FZ2400R33HE4BPSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 系列：
IHM-B
- 包裝：
托盤
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 配置：
單開關(guān)
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.65V @ 15V，2.4kA
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
無
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝：
AG-IHVB190-3
- 描述：
HV B SINGLE SWITCH POWER MODULES
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AXICOM |
23+ |
繼電器 |
9896 |
詢價 | |||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
A-IHV73-6 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
A-IHV73-6 |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
2021+ |
A-IHV73-6 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨，歡迎詢價 |
詢價 | ||
DBLECTRO |
23+ |
原廠原包 |
29960 |
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
模塊 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
詢價 | |||
Infineon/英飛凌 |
2025+ |
A-IHV73-6 |
8000 |
詢價 | |||
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
2118+ |
原廠封裝 |
6800 |
公司現(xiàn)貨全新原裝假一罰十特價 |
詢價 |
