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FZ1600R33HE4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

FZ1600R33HE4
廠商型號

FZ1600R33HE4

參數(shù)屬性

FZ1600R33HE4 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-IHVB13

功能描述

IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode
IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-IHVB13

封裝外殼

模塊

文件大小

957.36 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-24 23:50:00

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FZ1600R33HE4價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

FZ1600R33HE4規(guī)格書詳情

FZ1600R33HE4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FZ1600R33HE4晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    FZ1600R33HE4BPSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列:

    IHM-B

  • 包裝:

    托盤

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 配置:

    2 個獨立式

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.65V @ 15V,1.6kA

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    AG-IHVB130-3

  • 描述:

    IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-IHVB13

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon/英飛凌
24+
AG-IHMB190-2
30000
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我們只做原裝正品,支持檢測。
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原廠授權(quán)一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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Infineon Technologies
24+
原裝
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原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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