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P-ChannelTrenchPowerMOSFET GeneralDescription TheG18P03Susesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas-5V.Thisdeviceissuitableforuseasa widevarietyofapplications. Features HighPowerandcurrenthandingcapability SurfaceMount | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導體 | GOFORD |
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