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FTD2114KWLT3G

絲印:BW;Package:SOT-23;Epitaxial planar type NPN silicon transistor

Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.

FS

First Silicon Co., Ltd

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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