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FTD2114K中文資料FS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FTD2114K
廠商型號(hào)

FTD2114K

功能描述

Epitaxial planar type NPN silicon transistor

文件大小

126.58 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

FS

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網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-7 23:01:00

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FTD2114K規(guī)格書詳情

特性 Features

1) High DC current gain.

hFE = 1200 (Typ.)

2) High emitter-base voltage.

VEBO =12V (Min.)

3) Low VCE(sat).

VCE (sat) = 0.18V (Typ.)

(IC / IB = 500mA / 20mA)

4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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729
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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查現(xiàn)貨到京北通宇商城
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
詢價(jià)