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FZT690B	文件：38 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarMediumPowerHighGainTransistor Features ●Verylowequivalenton-resistance;RCE(sat)125mΩat2A. ●Gainof400atIC=1Amp. ●Verylowsaturationvoltage.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
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