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FTD2011	文件：80.12 Kbytes Page：2 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET ■Features ●RDS(ON)=30mΩMax.@VGS=4V ●RDS(ON)=45mΩMax.@VGS=2.5V	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
FTD2011A	文件：52.84 Kbytes Page：4 Pages	NCHANNELMOSSILICONTRANSISTOR LoadSwitchingApplications Features ?LowON-resistance. ?2.5Vdrive. ?Mountingheight1.1mm. ?Compositetype,facilitatinghigh-densitymounting.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機株式會社	SANYO
FTS2011	文件：41.12 Kbytes Page：4 Pages	LoadSwitchingApplications Features ?LowONresistance. ?2.5Vdrive. ?Mountingheight1.1mm.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機株式會社	SANYO
FWA-2011	文件：479.25 Kbytes Page：2 Pages	1URackmountNetworkAppliancewithIntel?Atom?X5-E3940Processorand6GbEports Features ??SupportsIntel?E3940processor ??TwoDDR3L1333/1600/1867MHz,upto16GB ??SixGbELANportswith2segmentsLANbypass ??OnemSATASlot ??Supportsonefixed3.5SATAHDDbay ??OneNMCslotfor4portsEthernetcardexpansion ??OneMini-PCIEslot	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研華科技研華科技（中國）有限公司	ADVANTECH

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