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FT150R12KE3B5BOSA1數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書(shū)PDF
| 廠商型號(hào) |
FT150R12KE3B5BOSA1 |
| 參數(shù)屬性 | FT150R12KE3B5BOSA1 包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MODULE POWER |
| 功能描述 | PWR MODULE |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-7 15:12:00 |
| 人工找貨 | FT150R12KE3B5BOSA1價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
FT150R12KE3B5BOSA1規(guī)格書(shū)詳情
簡(jiǎn)介
FT150R12KE3B5BOSA1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產(chǎn)的FT150R12KE3B5BOSA1晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號(hào)
：FT150R12KE3B5BOSA1
- 生產(chǎn)廠家
：Infineon
- 配置
：-
- 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）
：-
- 輸入
：-
- 工作溫度
：-
- 安裝類型
：-
- 封裝/外殼
：-
- 供應(yīng)商器件封裝
：-
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
歐派克 |
23+ |
模塊 |
1200 |
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